東京，2024年12月11日 - 全球領(lǐng)先的記憶體解決方案公司Kioxia Corporation今日宣布成功開發(fā)出一種名為OCTRAM（氧化物半導(dǎo)體通道電晶體DRAM）的新型技術(shù)。這種創(chuàng)新型4F2 DRAM采用了具有超低關(guān)斷電流和高導(dǎo)通電流特性的氧化物半導(dǎo)體電晶體，預(yù)計將推動低功耗DRAM在多個高效能應(yīng)用中的廣泛應(yīng)用。

OCTRAM技術(shù)的核心創(chuàng)新在于其使用了InGaZnO（銦鎵鋅氧化物）垂直電晶體，這種電晶體具備極低的電流泄漏特性，這對低功耗應(yīng)用至關(guān)重要。在今年12月9日于美國加州舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議（IEDM）上，Kioxia首次展示了這一技術(shù)成果。此次研發(fā)合作由Nanya Technology與Kioxia共同完成，標(biāo)志著兩家公司在推動低功耗記憶體技術(shù)方面的重大突破。

傳統(tǒng)的DRAM設(shè)計通常依賴于硅基6F2技術(shù)，而OCTRAM則通過采用InGaZnO垂直電晶體，在單元電晶體的設(shè)計上進(jìn)行了優(yōu)化，使得DRAM密度在4F2結(jié)構(gòu)下得到顯著提高。這一設(shè)計大大提升了DRAM的性能和效率，使得OCTRAM在高密度存儲方面具備競爭優(yōu)勢。

OCTRAM的另一大亮點是其超低關(guān)斷電流，達(dá)到1.0 x 10^-18安/單元，遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)DRAM技術(shù)。這意味著OCTRAM不僅能夠顯著降低能耗，而且能夠支持AI、物聯(lián)網(wǎng)和后5G通訊等前沿技術(shù)的高效運行。隨著全球?qū)Φ凸?、高效能存儲技術(shù)需求的不斷增加，OCTRAM的推出為這些領(lǐng)域的應(yīng)用提供了新的解決方案。

技術(shù)方面，OCTRAM采用了高深寬比電容器技術(shù)，這種結(jié)構(gòu)使得InGaZnO垂直電晶體能夠被整合在電容器頂部。此設(shè)計優(yōu)化了電容器和InGaZnO電晶體之間的相互作用，進(jìn)一步提升了存儲元件的性能。通過對元件和制程的精細(xì)優(yōu)化，OCTRAM能夠?qū)崿F(xiàn)超過15微安/單元的高導(dǎo)通電流，并且保持低于1安培/單元的關(guān)斷電流。

在面向未來的應(yīng)用場景中，OCTRAM的低功耗優(yōu)勢使其特別適用于人工智能（AI）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）以及高效能計算領(lǐng)域。隨著技術(shù)的進(jìn)一步成熟，OCTRAM有望成為未來存儲解決方案的重要組成部分，為高密度存儲需求提供更為高效的選擇。

關(guān)于Kioxia
Kioxia Corporation是全球領(lǐng)先的記憶體解決方案提供商，致力于開發(fā)、生產(chǎn)和銷售快閃記憶體及固態(tài)硬盤（SSD）產(chǎn)品。公司前身為Toshiba Memory，2017年4月正式脫離Toshiba Corporation。作為創(chuàng)新的推動者，Kioxia以其BiCS FLASH? 3D快閃記憶體技術(shù)不斷引領(lǐng)存儲技術(shù)的未來，涵蓋從智能手機、PC到汽車及數(shù)據(jù)中心等多種高密度應(yīng)用領(lǐng)域。

通過提供具有創(chuàng)新性和高效能的存儲產(chǎn)品與解決方案，Kioxia不斷提升全球客戶的競爭力，推動智能社會的建設(shè)。